Die hübschen Videos, die zeigen, wie die neuen HF-Transistoren von NXP geplagt werden, sind wohl etwas zu optimistisch. Der Hype um den Kilowatt-LDMOS BLF188XR hat bei einigen schon einen argen Dämpfer erlitten. Unter anderem bei PA0FRI, der seit einiger Zeit Versuche mit diesem Teil anstellt und auf seinem Blog sehr schön dokumentiert.
Nun hat er gerade zwei Stück in den Halbleiterhimmel befördert und seine Tests vorläufig beendet.
Im Hamradioboard haben sich André DL6AST und Uli DK4SX meinen Fragen aus dem letzten Blogeintrag angenommen. Ihre Antworten sind sehr interessant.
Nun ist mir auch klar, wieso einige OM beim BLF188XR auf eine Gegenkopplung verzichten. Ein Blick ins Datenblatt des Transistors bringt die Wahrheit an den Tag, wie Uli ausführt. Die Gates dieses Doppeltransistors sind sehr empfindlich und vertragen nur eine Gate Source Spannung von -6 bis +11 Volt. Offenbar eine Manko der LDMOS Architektur. Im Gegensatz dazu verträgt der VRF2933 +/-40 Volt.
Bei Fehlanpassungen, bzw. fehlgeschalteten Tiefpassfiltern gelangt rasch mal zuviel Spannung über die Gegenkopplung auf die Gates und der Transistor ist futsch. Beim BLF188XR braucht es da nicht viel. Aber die geringe Vgs Spannung setzt auch der Eingangsleistung enge Grenzen. Ob da eine Mikroprozessor gesteuerte Schutzschaltung rasch genug ist, um bei einem Zuviel an Steuerleistung rechtzeitig abzuklemmen?
Ich habe mich deshalb entschieden, auch bei meinen nächsten Basteleien bei den VRF2933 zu bleiben. Nicht zuletzt auch aus dem Grund, weil vier Transitoren die Abwärme besser verteilen und sich so besser kühlen lassen. Vier Hotspots sind einfacher zu handhaben als einer.
